Verfahren zur zerstörungsfreien Materialprüfung von hochreinem polykristallinen Silicium

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur kontaminationsfreien und zerstörungsfreien Prüfung eines Polysiliciumformkörpers auf einen Materialfehler, dadurch gekennzeichnet, dass der Polysiliciumformkörper mit Ultraschallwellen durchstrahlt wird und die Ultraschallwellen nach Durchlaufen des Polysiliciumformkörpers von einem Ultraschallempfänger registriert werden und so Materialfehler im Polysilicium detektiert werden.