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发明名称 Halbleiterspeicheranordnung mit einer Wasserstoff-Barrierschicht und deren Herstellungsverfahren
摘要
申请公布号 DE69938030(D1) 申请公布日期 2008.03.13
申请号 DE19996038030 申请日期 1999.12.01
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO. LTD. 发明人 NAGANO, YOSHIHISA;TANAKA, KEISUKE;NASU, TORU
分类号 H01L27/10;H01L27/115;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/8246;H01L21/8247 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
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