半导体激光装置

摘要

本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为W_f1、将距第一前端面的距离为L₁的位置的宽度设为W₁、将距第一前端面的距离为L₁+L₂的位置的宽度设为W₂时，W_f1≥W₁、W₁＞W₂及(W_f1－W₁)/2L₁＜(W₁－W₂)/2L₂成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。

主权项

1.一种半导体激光装置，在衬底上设置了具有相同谐振器长度L的第一发光部及第二发光部，上述第一发光部及上述第二发光部各自具有第一导电型的第一包覆层、设置在上述第一包覆层上的活性层、和设置在上述活性层上的第二导电型的第二包覆层，并且各自具备用来注入载流子的条纹构造，其特征在于：上述第一发光部的上述条纹构造具有宽度沿着该谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，并且当将上述第一前端面的宽度设定为Wf1、将距上述第一前端面的距离为L1的位置的宽度设定为W1、将距上述第一前端面的距离为L1+L2(L1+L2≤L)的位置的宽度设定为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1-W1)/2L1＜(W1-W2)/2L2 的关系成立，上述第二发光部的上述条纹构造具有宽度沿着该谐振器方向变化的部分且包括第二前端面，并且当将上述第二前端面的宽度设定为Wf2、将距上述第二前端面的距离为L3(L1≠L3)的位置的宽度设定为W3、将距上述第二前端面的距离为L3+L4(L3+L4≤L)的位置的宽度设定为W4时，Wf2≥W3、W3＞W4及(Wf2-W3)/2L3＜(W3-W4)/2L4 的关系成立。