| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 化合物半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上涂覆多个球形球并在其上涂覆有球形球的衬底上选择性生长化合物半导体薄膜。整个过程可以被简化，并且与外延横向过生长(ELO)法相比可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101140969A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200610154113.2 | 申请日期 | 2006.09.08 |
| 申请人 | 希特隆股份有限公司;学校法人浦项工科大学校 | 发明人 | 李奎哲;安星振;金容进;李东键 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种化合物半导体器件，包含：衬底；排列在衬底上的第一多个球形球；和第一化合物半导体薄膜，其配置在球形球之间及其上，该化合物半导体薄膜发射紫外(UV)光、可见(V)光和红外(IR)光中的一种。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道龟尾市 | ||