发明名称 阶层多孔γ-氧化铝及其制备方法和用途
摘要 本发明属于纳米材料制备技术领域,特别涉及一种阶层多孔γ-氧化铝及其制备方法。本发明是以廉价且易取得的天然植物葛根为模板,经硝酸前处理,再经过三氯化铝溶液浸泡-氨气熏浸-高温焙烧,得到与葛根孔道结构相似的阶层多孔γ-氧化铝。该制备方法无需表面活性剂,制备工艺简单,成本低且制得的氧化铝纯度高。与传统的γ-氧化铝相比,本发明制得的阶层多孔γ-氧化铝不仅具有丰富的介孔,而且具有丰富的大孔、更大的比表面积和孔容量和良好的孔结构热稳定性,作为载体在催化、吸附、分离、纳米反应器、模板和光控器件方面具有重要的应用价值。
申请公布号 CN101139104A 申请公布日期 2008.03.12
申请号 CN200610113015.4 申请日期 2006.09.07
申请人 中国科学院理化技术研究所 发明人 贺军辉;曹阳;李成章
分类号 C01F7/02(2006.01);C01F7/30(2006.01);B82B1/00(2006.01);B82B3/00(2006.01) 主分类号 C01F7/02(2006.01)
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 李柏
主权项 1.一种在高温下孔结构不易坍塌的阶层多孔γ-氧化铝,其特征是:该阶层多孔γ-氧化铝具有与天然植物葛根茎的孔道结构相似的孔道结构,其既有孔径分布在6~7nm的介孔,又有孔径分布在几百纳米到几十微米的大孔;该阶层多孔γ-氧化铝在经过600~1000摄氏度的煅烧后,其比表面积仍高达170~180m2/g,孔容量达0.3~0.4cm3/g。
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