| 发明名称 | 鳍片场效应晶体管半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造在前栅极侧面和背栅极侧面上具有不同的介质层厚度的背栅极化鳍片场效应晶体管的方法，包括在鳍片场效应晶体管的鳍片的至少一侧引入杂质，以使得形成具有不同厚度的介质层。可以通过注入来引入的杂质增强或阻碍介质的形成。 | ||
| 申请公布号 | CN100375252C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200510055456.9 | 申请日期 | 2005.03.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·布赖恩特;O·H·多库马奇;H·I·哈纳菲;E·J·诺瓦克 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01);H01L29/772(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种制造鳍片场效应晶体管半导体结构的方法，包括以下步骤：在衬底上形成用于鳍片场效应晶体管的鳍片，所述鳍片具有第一侧面和第二侧面；在所述鳍片的第一侧面上引入第一杂质；以及在所述第一侧面和第二侧面上形成介质层，其中所述介质层在所述第一侧面和第二侧面中的一个侧面上的厚度大于在另一个侧面上的厚度，以及所引入的杂质增强或者阻碍所述介质层的形成。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||