发明名称 双栅极结构的平板场致发射显示器及其制作工艺
摘要 本发明涉及到带有双栅极结构的平面场致发射显示器及其制作工艺,平面显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框构成的真空腔,阳极面板上有锡铟氧化物薄膜层和在锡铟氧化物薄膜层上的荧光粉层,阴极面板上有碳纳米管阴极,来控制碳纳米管阴极电子发射,位于真空腔内部的绝缘隔离支撑墙,特征在于制作双栅极结构,来控制碳纳米管阴极的电子发射,具有结构简单、制作成本低廉、制作工艺简单、制作过程稳定可靠的优点。
申请公布号 CN100375217C 申请公布日期 2008.03.12
申请号 CN200510017610.3 申请日期 2005.05.24
申请人 中原工学院 发明人 李玉魁
分类号 H01J31/12(2006.01);H01J29/02(2006.01);H01J29/46(2006.01);H01J1/46(2006.01);H01J9/02(2006.01);H01J9/00(2006.01) 主分类号 H01J31/12(2006.01)
代理机构 郑州科维专利代理有限公司 代理人 刘卫东
主权项 1.一种双栅极结构的平板场致发射显示器,包括由以玻璃为衬底材料的阴极面板(1)、阳极面板(9)和四周玻璃围框(14)构成的密封真空腔、在阳极面板(9)上有光刻的锡铟氧化物薄膜层(10)以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层(12)、在以玻璃为衬底材料的阴极面板(1)上设置的碳纳米管阴极(8)、位于真空腔内部起支撑作用的绝缘隔离支撑墙(13),其特征在于:在碳纳米管阴极(8)上方设置有控制碳纳米管阴极的电子发射的双栅极结构,在双栅极结构中,在以玻璃为衬底材料的阴极面板(1)上设置有阴极导电条(2)和绝缘层(3),在绝缘层(3)上设置有下栅极导电条(4),在下栅极导电条(4)上设置有绝缘层(5),在绝缘层(5)上设置有上栅极导电条(6),在上栅极导电条(6)上设置有栅极覆盖层(7),所述的双栅极结构中的导电条分为两部分,即上栅极部分和下栅极部分,其中上栅极部分与碳纳米管阴极之间的距离相对比较大,而下栅极部分与碳纳米管阴极之间的距离相对比较小,双栅极结构中存在有用于电子穿越的电子通道孔,双栅极结构中的处于上部栅极和下部栅极相交叉位置的电子通道孔相互连通,上栅极的表面存在一个绝缘覆盖层。
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