| 发明名称 | 确定半导体制造过程的独立式结构的线宽的系统和方法 | ||
| 摘要 | 用于测定半导体(S/C)制造过程所建立的独立式结构的最小线宽的装置和方法。在半导体器件中建立独立式结构并使其经历相对于独立式结构的临界线宽被调整和找准的喷雾过程。响应亚临界线宽的独立式结构的破坏，调整此S/C制造过程。 | ||
| 申请公布号 | CN100375260C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200510118684.6 | 申请日期 | 2005.11.04 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 斯蒂芬·M.·鲁卡里尼;卡尔·W.·巴斯;斯蒂芬·K.·洛 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种用于测定半导体制造过程中建立的独立式结构的最小线宽的方法，包括：在半导体器件中创建独立式结构；针对所述独立式结构的临界线宽调整和找准喷雾过程，其中当所述独立式结构正好在最小线宽确定的尺寸下开始破坏时，则已找准喷雾过程；使所述的器件经历所述的喷雾过程；和确定亚临界线宽的独立式结构是否被破坏，并且响应于亚临界线宽的独立式结构的破坏，选择性地调整所述半导体制造过程。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||