发明名称 |
形成浅沟槽隔离结构的方法 |
摘要 |
本发明提供一种浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法,具体为形成一包括氮衬垫层的无孔穴浅沟槽隔离结构的方法,包括提供一基底,此基底包括一延伸穿过一上部的硬式掩膜层至基底一厚度的STI沟槽,而暴露部分基底。其后,选择性的形成第一绝缘层,当作STI沟槽的位于暴露基底上方的部分的衬垫。接下来,将STI沟槽回填以一第二绝缘层,并平坦化第二绝缘层。后续,进行一湿蚀刻制程以移除上部的硬式掩膜层。本发明所述浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法,可避免在STI沟槽边缘或角落形成孔穴,改善元件的性能和可靠度。 |
申请公布号 |
CN100375264C |
申请公布日期 |
2008.03.12 |
申请号 |
CN200510109531.5 |
申请日期 |
2005.10.21 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈建豪;张世勋;杨知一;陈佳麟;李资良 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01);H01L27/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法,其特征在于,所述形成浅沟槽隔离结构的方法包括:提供一包括一浅沟槽结构沟槽的基底,一垫氧化层形成于该基底上,一硬式掩膜层形成于该垫氧化层上,该浅沟槽结构沟槽延伸穿过该垫氧化层和该硬式掩膜层,并进入该基底的一厚度,且暴露部分该基底;选择性的形成一衬垫层,使该衬垫层仅形成于该浅沟槽结构沟槽中,以作为该浅沟槽结构沟槽的衬垫,其中该衬垫层和该硬式掩膜层为相同材料所组成;以一绝缘层回填该浅沟槽结构沟槽,其中该硬式掩膜层和该绝缘层为不同材料所组成;平坦化该绝缘层;及进行一湿蚀刻制程以移除该硬式掩膜层。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |