| 发明名称 | 电子芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于电子芯片的方法(和结构)，该芯片具有至少一层材料，对于所述材料来说，第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，且第二载流子类型的载流子迁移率在第二晶面上高于在第二晶面上，包括具有至少一个在所述材料的所述第一晶面上制造的部件，和具有至少一个在所述材料的第二晶面上制造的第二器件，其特征在于所述第一器件的所述部件的活性主要涉及第一载流子类型，所述第二器件的所述部件的活性主要涉及第二载流子类型。 | ||
| 申请公布号 | CN100375291C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN03806215.1 | 申请日期 | 2003.03.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 马西莫·菲谢帝;波·所罗门;宏萨姆·菲力普·王 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01);H01L29/739(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/335(2006.01) | 主分类号 | H01L29/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种电子芯片，具有至少一层材料，对于所述材料来说，第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，第二载流子类型的载流子迁移率在所述第二晶面上高于所述第一晶面上，所述电子芯片包含：第一器件，具有至少一个在所述材料的所述第一晶面上制造的部件，其中所述第一器件的所述至少一个部件的活性主要涉及所述第一载流子类型，第二器件，具有至少一个在所述材料的所述第二晶面上制造的部件，其中所述第二器件的所述至少一个部件的活性主要涉及所述第二载流子类型。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||