发明名称 |
电光装置,电光装置的制造方法,以及电子设备 |
摘要 |
把在基板上形成的遮光膜,设置为交替地配置不含氮的薄膜与含有氮的薄膜的多层薄膜结构。由于在遮光膜中形成含有氮的薄膜,所以因退火处理之际的热应变而发生的应力被含有氮的薄膜所吸收,因此可以防止对以遮光膜为起点的绝缘膜或半导体层的裂纹的发生。 |
申请公布号 |
CN100374920C |
申请公布日期 |
2008.03.12 |
申请号 |
CN200510002711.3 |
申请日期 |
2005.01.19 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
清水雄一;浅田胜己 |
分类号 |
G02F1/133(2006.01);G02F1/136(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/133(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
陈海红;段承恩 |
主权项 |
1.一种在基板上具有层间绝缘膜和半导体层电光装置,其特征在于,在基板之上形成的遮光膜具有交替地配置不含有添加材料的含有高熔点金属或高熔点金属化合物的金属硅化物薄膜与含有氮或氮类化合物的添加材料的含有高熔点金属或高熔点金属化合物的金属硅化物薄膜的多层薄膜结构。 |
地址 |
日本东京都 |