| 发明名称 | 集成薄膜太阳能电池及其制造方法、及集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成薄膜太阳能电池，尤其涉及最小化制造过程所引起的集成太阳能电池的损耗并可通过低成本工序获得的集成薄膜太阳能电池，以及制造该太阳能电池的方法，用于集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法，其通过最小化集成薄膜太阳能电池的单元电池之间(绝缘)间隙能够加宽有效区域并减少制造成本，以及透明电极的结构，以及具有透明电极的透明基板。制造集成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤：(a)单独在透明基板上形成透明电极图案；(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层；(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极；(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层；和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积金属形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101142690A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200680008251.8 | 申请日期 | 2006.03.16 |
| 申请人 | 韩国科学技术院 | 发明人 | 林宏树;权圣源;郭中焕;朴相一;尹浚宝;文建又 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01) | 主分类号 | H01L31/042(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中安信知识产权代理事务所 | 代理人 | 张小娟 |
| 主权项 | 1.一种制造集成薄膜太阳能电池的方法，包括以下步骤：(a)单独在透明基板上方形成透明的电极图案；(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层；(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极；(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层；和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积导电材料形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。 | ||
| 地址 | 韩国大田市 | ||