| 发明名称 | 加快上拉速度的预充电电路和预充电方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种加快上拉速度的预充电电路，其包括第一PMOS管，该预充电电路还包括：第二PMOS管，与第一PMOS管并联连接；以及脉冲产生电路，用于向第二PMOS管的栅极提供脉冲。还提供了一种加快上拉速度的预充电方法。从而，提高了预充电电路的上拉速度而不影响电路的功能，只对性能进行提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101140794A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710142051.8 | 申请日期 | 2007.08.20 |
| 申请人 | 中兴通讯股份有限公司 | 发明人 | 孙腾达;汪纪 |
| 分类号 | G11C7/12(2006.01) | 主分类号 | G11C7/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尚志峰;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种加快上拉速度的预充电电路，包括第一PMOS管，其特征在于，还包括：第二PMOS管，与所述第一PMOS管并联连接；以及脉冲产生电路，用于向所述第二PMOS管的栅极提供脉冲。 | ||
| 地址 | 518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦 | ||