发明名称 电子元件的散热衬底
摘要 一种电子元件的散热衬底包含一第一金属层、一第二金属层及一导热高分子介电绝缘材料层。所述第一金属层的表面承载所述电子元件(例如发光二极管(LED)元件)。所述导热高分子介电绝缘材料层叠设于所述第一及第二金属层之间并形成物理接触,且其间的界面包含至少一微粗糙面(粗糙度Rz大于7.0)。所述微粗糙面包含复数个瘤状突出物,且所述瘤状突出物的粒径主要分布于0.1至100微米之间,所述导热高分子介电绝缘材料层的导热系数大于1W/m·K,厚度小于0.5mm,且包含(1)含氟高分子聚合物,其熔点高于150℃,且体积百分比介于30-60%之间;及(2)导热填料,散布于所述含氟高分子聚合物中,且其体积百分比介于40-70%之间。
申请公布号 CN101140915A 申请公布日期 2008.03.12
申请号 CN200610128694.2 申请日期 2006.09.08
申请人 聚鼎科技股份有限公司 发明人 朱复华;王绍裘;游志明;杨恩典;陈国勋
分类号 H01L23/36(2006.01);H01L23/373(2006.01);H01L23/498(2006.01);H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L23/36(2006.01)
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 刘国伟;林建成
主权项 1.一种电子元件的散热衬底,包含:一第一金属层,其一表面承载所述电子元件;一第二金属层;以及一导热高分子介电绝缘材料层,叠设于所述第一金属层及第二金属层之间并形成物理接触,所述导热高分子介电绝缘材料层与所述第一和第二金属层的界面包含至少一粗糙度Rz大于7.0的微粗糙面,所述微粗糙面包含复数个瘤状突出物,且所述瘤状突出物的粒径主要分布于0.1至100微米之间,所述导热高分子介电绝缘材料层的导热系数大于1W/m·K,厚度小于0.5mm,且包含:(1)含氟高分子聚合物,其熔点高于150℃,且.体积百分比介于30-60%之间;及(2)导热填料,散布于所述含氟高分子聚合物中,且其体积百分比介于40-70%之间。
地址 中国台湾