| 发明名称 | 半导体结构制造方法和其制造的半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构和用于形成该结构的方法。所述结构包括(a)衬底；(b)第一器件和第二器件，均在所述衬底上；(c)器件帽介质层，在所述第一和第二器件以及所述衬底上，其中所述器件帽介质层包括器件帽介质材料；(d)第一介质层，在所述器件帽介质层的顶上，其中所述第一介质层包括第一介质材料；(e)第二介质层，在所述第一介质层的顶上；以及(f)第一导电线路和第二导电线路，均位于所述第一和第二介质层中。所述第一介质层将所述第一和第二导电线路与所述器件帽介质层物理隔离。所述第一介质材料的介电常数小于所述器件帽介质材料的介电常数。 | ||
| 申请公布号 | CN101140922A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710136144.X | 申请日期 | 2007.07.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 何忠祥;A·K·斯坦珀;陆宁 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：(a)衬底；(b)第一器件和第二器件，均在所述衬底上；(c)器件帽介质层，在所述第一和第二器件的顶上和在所述衬底的顶上，其中所述器件帽介质层包括器件帽介质材料；(d)第一介质层，在所述器件帽介质层的顶上，其中所述第一介质层包括第一介质材料；(e)第二介质层，在所述第一介质层的顶上，其中所述第二介质层包括第二介质材料；以及(f)第一导电线路和第二导电线路，均位于所述第一和第二介质层中，其中所述第一介质层将所述第一和第二导电线路与所述器件帽介质层物理隔离，和其中所述第一介质材料的介电常数小于所述器件帽介质材料的介电常数。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||