用于制备区域有规聚噻吩的卤代噻吩单体

摘要

本发明涉及导电聚合物和制备导电聚合物的方法。更具体地讲，本发明涉及头－尾偶合的、区域有规的、电荷载流子迁移率和电流调制改进的聚－(3－取代)噻吩的制备方法。本发明还涉及具有两个不同卤素离去基团并比其它方法更有效更经济地制备区域有规的聚－(3－取代)噻吩的单体。本发明还提供聚噻吩聚合物、薄膜和制品。

主权项

1.一种制备取代聚噻吩的方法，包括：a)提供溶剂可溶的取代噻吩单体，其中所述单体具有下列结构：其中X₁和X₂是不同的，各自包括卤素原子，其中至少一个卤素原子能够与镁键合；R₁包括C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀F-烷基、C₁-C₂₀O-烷基、C₁-C₂₀S-烷基、C₆-C₂₀芳基、氟或NO₂；R₂包括氢、氟、NO₂或C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀F-烷基、C₁-C₂₀O-烷基、C₁-C₂₀ S-烷基或C₆-C₂₀芳基；b)将取代噻吩单体与镁和溶剂混合，以形成区域化学中间体；和c)在足以使中间体聚合生成区域有规的取代聚噻吩反应产物的条件下，使区域化学中间体与聚合催化剂反应，所得产物具有下列重复结构单元：其中R包括C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀F-烷基、C₁-C₂₀O-烷基、C₁-C₂₀S-烷基或C₆-C₂₀芳基、氟或NO₂；该聚合物的电荷载流子迁移率(μ)至少约为1×10^-2cm²/Vs，开关比至少约为1×10³，其中n包括约2至约10,000。