发明名称 | 非易失性存储设备和相关操作方法 | ||
摘要 | 在非易失性存储设备中,通过在编程操作的第一编程间隔期间,在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据,随后在第一编程间隔之后的编程操作的第二编程间隔期间,在所选择的存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据,在多个非易失性存储单元上执行编程操作。 | ||
申请公布号 | CN101140806A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
申请号 | CN200710149020.5 | 申请日期 | 2007.09.04 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李光振;郭忠根;金杜应 |
分类号 | G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽 |
主权项 | 1.一种用于在包含存储单元阵列的非易失性存储设备中执行编程操作的方法,其中所述存储单元阵列包括多个非易失性存储单元,所述方法包括步骤:在编程操作的第一编程间隔期间,在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据;以及在所述第一编程间隔之后的、编程操作的第二编程间隔期间,在所述选择存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |