| 发明名称 | 超导技术的断路器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超导技术的断路器(2)，其包括一具有超导材料的断路间隔(4)、用于将断路间隔冷却到给定工作温度(T<SUB>a</SUB>)的装置、以及为使断路间隔(4)从超导状态转变到正常状态而可控地实现超过至少一个超导材料临界值的装置。断路器(2)应该设计成40K以下的工作温度，并含有二硼化镁(MgB<SUB>2</SUB>)作为其断路间隔(4)的超导材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100375305C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN03101570.0 | 申请日期 | 2003.01.15 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 马蒂诺·莱格希萨;马里吉恩·奥曼 |
| 分类号 | H01L39/20(2006.01) | 主分类号 | H01L39/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 侯宇;陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种超导技术的断路器，其包括-一个具有超导材料的断路间隔(4)，-用于将所述断路间隔(4)冷却到给定工作温度的装置，-为使所述断路间隔(4)从超导状态转变到正常状态而可控地实现超过至少一个超导材料临界值的装置，其中，-所述断路间隔(4)由圆形或矩形横截面的线材构成，-所述断路间隔(4)的端部具有实心的热沉介质(5，6)，该热沉介质(5，6)是由良好导热材料制成的可被冷却的支承座(5，6)，-所述断路间隔(4)无冷却剂地设置在所述热沉介质(5，6)之间，-将二硼化镁作为40K以下工作温度(Ta)的所述断路间隔(4)的超导材料。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||