| 发明名称 | 沟槽分割的发光二极管制造方法和衬底装配件 | ||
| 摘要 | 提供了一种用来制作半导体器件的方法，此方法采用具有相对的第一和第二侧的半导体衬底以及衬底第二侧上的至少一个器件层，此至少一个器件层包括第一和第二器件部分。第一沟槽被形成在第一与第二器件部分之间的衬底第一侧中。第二沟槽被形成在第一与第二器件部分之间的衬底第二侧中。 | ||
| 申请公布号 | CN100375242C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN03820880.6 | 申请日期 | 2003.07.11 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | M·T·布鲁恩斯;B·E·威廉斯;J·拉哈耶;P·安德鲁斯 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种用来制作半导体器件的方法，此方法采用具有相对的第一和第二侧的半导体衬底以及衬底第二侧上的至少一个器件层，此至少一个器件层包括第一和第二器件部分，此方法包含下列步骤：a)在第一与第二器件部分之间的衬底第一侧中，形成第一沟槽；b)在第一与第二器件部分之间的衬底第二侧中，形成第二沟槽；以及c)在至少一个器件层中形成隔离沟槽，此隔离沟槽确定包括第一器件部分的第一台面和包括第二器件部分的第二台面。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||