发明名称 |
光刻式只读存储器的感测放大器 |
摘要 |
本发明提供一种光刻式只读存储器的感测放大器,其包含一多路器、若干比较器、多个第一选择晶体管、多个第二选择晶体管、多个第三选择晶体管、多个第四选择晶体管,第一选择晶体管及第二选择晶体管的栅极皆连接至一字符线选择、第一选择晶体管的一掺杂区连接至多路器以产生若干讯号,另一掺杂区则连接至一选择位线。每一第二选择晶体管的一掺杂区连接至每一比较器、另一掺杂区则连接至一外界电压。当每一讯号与每一第二选择晶体管的其一掺杂区连接至每一比较器时,可决定一存储单元电压状态。本发明,利用参考存储单元的配置,可减少感测时受到选择位线的影响,使得感测更为准确。 |
申请公布号 |
CN100375195C |
申请公布日期 |
2008.03.12 |
申请号 |
CN200310108121.X |
申请日期 |
2003.10.24 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
邓源伟;潘梦瑜;张有志 |
分类号 |
G11C17/10(2006.01);G11C7/06(2006.01);H01L27/112(2006.01) |
主分类号 |
G11C17/10(2006.01) |
代理机构 |
上海光华专利事务所 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
1.一种光刻式只读存储器的感测放大器,其特征在于,包含:一多路器;多个比较器;多个第一选择晶体管,该多个第一选择晶体管的多个第一栅极连接至一字符线选择,任一该第一选择晶体管的一第一掺杂区连接至该多路器以产生多个讯号,多个第二选择晶体管,该多个第二选择晶体管的多个第二栅极连接至该字符线选择,每一该第二选择晶体管的一第三掺杂区连接至每一该比较器,每一该第二选择晶体管连接至一外界电压,其中当每一该讯号与每一该第三掺杂区连接至每一该比较器时,可决定一存储单元电压状态;多个第三选择晶体管,其中任一该第一选择晶体管的一第二掺杂区各自与一该第三选择晶体管的一个掺杂区连接,任一该第三选择晶体管的另一个掺杂区与选择位线连接;多个第四选择晶体管,其中任一该第二选择晶体管的一第四掺杂区各自与一该第四选择晶体管的一个掺杂区连接,任一该第四选择晶体管的另一个掺杂区与一外界电压连接。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |