| 发明名称 | 厚氧湿法腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种厚氧湿法腐蚀方法，包括以下步骤：第一步，将生长了厚氧化层的硅片置于氟化铵与氢氟酸的混合液中进行腐蚀；第二步，在第一步完成之后的2到48小时用硫酸双氧水溶液清洗硅片，并将硅片甩干。本发明通过在腐蚀液中增加氟化铵，在并追加硫酸双氧水对硅片清洗的清洗工艺，降低氧化层全剥过程中产生颗粒的可能性，减少硅片表面颗粒残留，增加工艺成品率，提高生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101140851A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200610030969.9 | 申请日期 | 2006.09.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 封晶;王明琪 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种厚氧湿法腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，将生长了厚氧化层的硅片置于氟化铵与氢氟酸的混合液中进行腐蚀；第二步，在第一步完成之后的2到48小时用硫酸双氧水溶液清洗硅片，并将硅片甩干。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||