| 发明名称 | 一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法。该方法是在淀积Ni膜时，通过顺次淀积Ni、Ho、Ni薄膜层或Ni、Ho共淀积工艺最终对应形成Ni/Ho/Ni/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si或Ni(Ho)/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si结构，再通过退火处理使得金属薄膜与未掺杂多晶硅层发生完全硅化反应形成镍钬合金全硅化物金属栅结构，即NiHoSi/栅介质层/衬底Si结构。该方法能够有效调节NiSi全硅化物金属栅的功函数使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101140875A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710047189.X | 申请日期 | 2007.10.18 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 王保民;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1.一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法，其特征在于：在淀积Ni膜时，通过顺次淀积Ni、Ho、Ni薄膜层形成Ni/Ho/Ni/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si，或者采用Ni、Ho共淀积工艺形成NiHo/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si结构，再进行退火处理，退火温度为400℃-600℃，使得金属薄膜与未掺杂多晶硅层发生完全硅化反应形成镍钬合金全硅化物金属栅结构，即NiHoSi/栅介质层/衬底Si结构。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||