对具有阻抗滞后元件的存储器矩阵的控制

摘要

使用一种用于存储器矩阵的控制电路(1、11)，所述控制电路限定了写入过程，所述写入过程使用至少两个空闲电路状态、全部列更新电路状态和列选择性更新状态之间的电路状态转变。其次，在存取期间，控制电路在执行列选择性更新命令期间从第一空闲状态(I1)到列选择性更新状态(W)来回切换；并且在执行全部列更新操作期间从第二空闲状态(I2)到全部列更新状态(E)来回切换。控制电路(1、11)保持处于第一和第二空闲状态(I1、I2)，而无需在执行连续的列选择性更新命令和全部列更新命令之间分别切换到第二和第一空闲状态(I2、I1)。

主权项

1.一种电路，包括：存储器矩阵(10)，具有单元(20)的行和列，每一个单元包括连接在所述单元(20)的行端子和列端子之间的阻抗滞后元件(24)和阈值元件(22)的串联配置；行导体(18)，每一个所述行导体均与相应行中的单元(20)的行端子相连；列导体(17)，每一个所述列导体均与相应列中的单元(20)的列端子相连；驱动器电路(12、14)，与行导体(18)和列导体(17)相连；控制电路(1、11)，具有与驱动器电路相连的控制输出，所述控制电路(1、11)设置成响应于命令而在各个分立的电路状态之间切换，所述电路状态包括：第一空闲状态(I1)，其中控制电路控制驱动器电路(12、14)以将全部行和列导体(17、18)驱动到一个或更多空闲电压；全部列更新状态(E)，其中控制电路(1、11)控制驱动器电路(12、14)以将选定行导体(17)和全部列导体(18)处的电压分别驱动到在所述一个或更多空闲电压的彼此相反侧上的第一和第二电压，并且将其余行导体处的电压驱动到所述一个或更多空闲电压；列选择性更新状态(W)，其中控制电路控制驱动器电路(12、14)以将选定的行和列导体(17、18)处的电压从所述一个或更多空闲电压沿彼此相反的方向进行驱动，并且将其余行和列导体(17、18)处的电压驱动到所述一个或更多空闲电压；第二空闲状态(I2)，其中控制电路(1、11)控制驱动器电路(12、14)，以将列导体(17)驱动到第二电压，并且将行导体(18)处的电压驱动到所述一个或更多空闲电压，所述控制电路(1、11)设置成在执行列选择性更新命令期间从第一空闲状态(I1)到列选择性更新状态(W)来回切换，并且在执行全部列更新命令期间从第二空闲状态(I2)到全部列更新操作(E)来回切换，以便在执行连续的列选择性更新命令和全部列更新命令之间分别保持在第一和第二空闲状态(I1、I2)。