发明名称 显示装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种能够以简单的结构减少来自多晶硅的漏电流、得到稳定的保持特性的显示装置及其制造方法。本发明的显示装置具有:形成在绝缘衬底(11)上的作为基底膜的氧化硅膜(13)以及氮化硅膜(14);形成在该基底膜上的多晶硅电极上(18);形成在该多晶硅电极(18)上的栅极绝缘膜(16);在栅极绝缘膜(16)上形成在与多晶硅电极(18)对置的位置上的栅极金属电极(17)。并且,栅极金属电极(17)以在上面图中覆盖多晶硅电极(18)的边缘部的一部分或者全部的方式形成。
申请公布号 CN101140941A 申请公布日期 2008.03.12
申请号 CN200710148266.0 申请日期 2007.09.04
申请人 三菱电机株式会社 发明人 今村卓司
分类号 H01L27/12(2006.01);H01L29/94(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L27/12(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王岳;刘宗杰
主权项 1.一种显示装置,其特征在于,具有:绝缘衬底;形成在所述绝缘衬底上的多晶硅电极;形成在所述多晶硅电极上的栅极绝缘膜;在所述栅极绝缘膜上形成在与所述多晶硅电极对置的位置上的栅极金属电极,所述栅极金属电极以在上面图中覆盖所述多晶硅电极的边缘部的一部分或者全部的方式形成。
地址 日本东京都