| 发明名称 | 用于微影图案化的光阻材料及集成电路图案的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种用于微影图案化的光阻材料及集成电路图案的形成方法，该光阻材料，包括第一材料及分散于第一材料中的第二材料。第二材料能扩散至光阻材料的上表面，且第二材料的蚀刻速率是相异于第一材料的蚀刻速率。该集成电路图案的形成方法，至少包含：形成一下层于一基材上；形成一图案化光阻层于该下层上；利用该图案化光阻层而蚀刻该下层的该顶部；以及利用该顶部而蚀刻该下层的该主体部。 | ||
| 申请公布号 | CN101140420A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710146930.8 | 申请日期 | 2007.08.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张庆裕 |
| 分类号 | G03F7/075(2006.01);G03F7/004(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/075(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种用于微影图案化的光阻材料，其特征在于其至少包含：一第一材料；一第二材料位于该第一材料中，其中该第二材料能扩散至该光阻材料的一上表面，且该第二材料的一蚀刻速率是不同于该第一材料的蚀刻速率。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||