| 发明名称 | 贯穿SOI衬底的深沟槽电容器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 公开了形成贯穿SOI衬底的深沟槽电容器的方法以及电容器。在一个实施例中，方法包括：在SOI衬底中形成直至硅衬底的沟槽开口；在沟槽开口中沉积侧壁间隔物；进行刻蚀以在硅衬底中形成深沟槽；通过将掺杂剂注入到硅衬底中来形成第一电极，由此侧壁间隔物保护BOX层和硅层；去除侧壁间隔物；在深沟槽内沉积节点电介质；以及通过在深沟槽中沉积导体来形成第二电极。该注入创建了除了在与深沟槽的最下部分邻近的基本为球根形的部分以外基本均匀深度的掺杂区域。侧壁间隔物保护BOX层免于底切，并且该注入去除了从石英玻璃外扩散掺杂剂的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN101140862A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710147837.9 | 申请日期 | 2007.08.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | H·L·霍;程慷果;大谷洋一;K·R·温斯特尔 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种在绝缘体上硅(SOI)衬底中形成深沟槽电容器的方法，所述SOI衬底包括在掩埋氧化硅(BOX)层上的硅层，所述SOI衬底形成在硅衬底上，所述方法包括：在所述SOI衬底中形成直到所述硅衬底的沟槽开口；在所述沟槽开口中沉积侧壁间隔物；进行刻蚀以在所述硅衬底中形成所述深沟槽；通过将掺杂剂注入到所述硅衬底中来形成第一电极，由此所述侧壁间隔物保护所述BOX层和所述硅层；去除所述侧壁间隔物；在所述深沟槽内沉积节点电介质；以及通过在所述深沟槽中沉积导体来形成第二电极。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||