发明名称 同步动态存储器的读写方法和读写装置
摘要 本发明提供了一种同步动态存储器的读写方法,其包括:步骤S102,缓存发送到同步动态存储器中的当前读写访问的请求和读写访问的地址;以及步骤S104,判断上一读写访问请求的状态,根据当前读写访问和判断结果进行相应的读写处理。并且,提供了一种同步动态存储器的读写装置。从而,可以提高SDRAM控制器的工作效率。
申请公布号 CN101140797A 申请公布日期 2008.03.12
申请号 CN200710142050.3 申请日期 2007.08.20
申请人 中兴通讯股份有限公司 发明人 周炼
分类号 G11C11/409(2006.01) 主分类号 G11C11/409(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 尚志峰;吴孟秋
主权项 1.一种同步动态存储器的读写方法,其特征在于,包括:步骤S102,缓存发送到所述同步动态存储器中的当前读写访问的请求和读写访问的地址;以及步骤S104,判断上一读写访问请求的状态,根据所述当前读写访问和判断结果进行相应的读写处理。
地址 518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦