| 发明名称 | 抗蚀剂图案及配线图案的形成方法、半导体装置的制造法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以生产性良好地形成抗蚀剂图案的方法。其解决方法是，将设置在含有可以将光能转换成热能的光热转换材料的基体材料(5)上的含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层(6)和被处理材料(1)对置，在基体材料(5)的规定区域内照射光，使与规定区域相应的抗蚀剂材料转印到被处理材料(1)上，使抗蚀剂材料在被处理材料(1)上制作配线图案。 | ||
| 申请公布号 | CN100375239C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200410055899.3 | 申请日期 | 2004.08.05 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 丰田直之 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于：在透明基体材料上设置将光能转换成热能的光热转换层，在所述光热转换层上设置含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层，使被处理材料与所述抗蚀剂层直接接触，通过从所述透明基体材料侧向所述光热转换层的规定区域照射光，使得对应于所述规定区域的所述光热转换层发热，所述抗蚀剂层成为熔融状态而被转印到所述被处理材料上，在所述被处理材料上形成所希望图案的抗蚀剂层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||