一种原位生长二氧化钛薄膜电极的方法

摘要

一种原位生长二氧化钛薄膜电极的方法，它涉及了一种二氧化钛薄膜电极的制备方法。本发明解决了现有二氧化钛薄膜电极制备方法存在制备成本高及制备的二氧化钛薄膜与基体结合力差的问题。本发明的二氧化钛薄膜电极按如下方法进行制备：一、钛片的预处理；二、通电；三、烘干、敏化；即得到原位生长的二氧化钛薄膜电极。本发明制备的二氧化钛薄膜电极具有成本低及制备的二氧化钛薄膜与基体结合力好的优点。

主权项

1.一种原位生长二氧化钛薄膜电极的方法，其特征在于二氧化钛薄膜电极的制备方法按如下步骤进行：一、钛片的预处理：将质量浓度为65％的浓硝酸和质量浓度为40％氟化氢溶液按体积比为1∶1的比例混合，将钛片放入混合液中浸泡2～5秒，取出后再用蒸馏水冲洗；二、将处理好的钛片放入电解液中，钛片作为阳极，铜作为阴极，通入电流强度为1～20A/dm2、电压为100～280V的直流电5～50min； 三、用蒸馏水将覆着在二氧化钛薄膜上的电解液洗涤干净，烘干后，再将干燥后的二氧化钛薄膜放入浓度为0.1～1mmol/L的敏化剂乙醇溶液中，在25～45℃的条件下浸泡敏化12h，再取出用无水乙醇清洗薄膜，烘干；即得到原位生长的二氧化钛薄膜电极。