提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法

摘要

本发明涉及一种用于提高氧化物半导体材料气敏性能的新方法，其特征是采用贵金属量子点作为催化剂，对氧化物半导体材料进行表面修饰，从而达到提高气体传感器灵敏度和选择性的目的。本发明制作的气体传感器可用于低浓度气体的检测。目前半导体型气体传感器的检测下限为一般为几个ppm左右，很难检测到ppb量级，这样的敏感性能不适用于环境或工业安全等领域的监测。而采用本发明方法制作的气体传感器完全可以满足这方面的要求。

主权项

1.一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：将粒径为3-10nm的贵金属量子点在一定的介质中超声分散10-50min后，均匀滴加到金属氧化物半导体材料中，而后烘干。其中贵金属量子点的用量为金属氧化物半导体材料质量的0.1％-1％。