| 发明名称 | 用于实现上下层金属互联的电路结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于实现上下层金属互联的电路结构，包括上层金属与下层金属，位于所述上层金属与下层金属之间的通孔，其中：所述的上层金属与下层金属严格对准，层间的通孔以排为单位与下层金属之间形成0至1/2孔径不等的偏移，且相邻两排通孔对应通孔的偏移量和偏移方向不同。本发明能够及时发现并确认通孔与下层金属之间发生的偏移及钛缺失的工艺问题；适用于半导体集成电路的工艺开发。 | ||
| 申请公布号 | CN101140920A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200610030867.7 | 申请日期 | 2006.09.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐继寅;常欣 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种用于实现上下层金属互联的电路结构，包括上层金属与下层金属，位于所述上层金属与下层金属之间的通孔，其特征在于：所述的上层金属与下层金属严格对准，层间的通孔以排为单位与下层金属之间形成0至1/2孔径不等的偏移，且相邻两排通孔对应通孔的偏移量和偏移方向不同。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||