| 发明名称 | 半导体器件栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件栅极的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成堆栈层结构；在所述堆栈层结构上形成光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层以定义栅极的位置；刻蚀所述堆栈层结构和多晶硅层形成栅极。本发明的方法能够制造外形轮廓良好的栅极，且无需形成硬掩膜，特别适合于线宽特征尺寸在65nm以下的栅极的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN101140874A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200610030814.5 | 申请日期 | 2006.09.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 马擎天;刘乒;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件栅极的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成堆栈层结构；在所述堆栈层结构上形成光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层以定义栅极的位置；刻蚀所述堆栈层结构和多晶硅层形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||