具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片及其制造方法

摘要

本发明涉及具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片，其中所述缺陷减少区域的GOI相关缺陷密度在0/cm²至0.1/cm²的范围内，并且所述缺陷减少区域总共占据所述半导体晶片的平面面积的10至100％的面积比例，所述半导体晶片的剩余区域的缺陷密度明显高于所述缺陷减少区域。本发明还涉及用于退火单晶半导体晶片内的GOI相关缺陷的方法，该方法用激光器照射所述半导体晶片的至少一个面的确定的区域，其特征在于，所述确定的区域内的各个位置均以1GW/m²至10GW/m²的功率密度照射至少25ms，所述激光器发射大于组成所述半导体晶片的半导体材料的吸收边沿的波长的辐射，所述半导体晶片的温度通过用所述激光器进行照射而上升了小于20K。

主权项

1.具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片，其中所述缺陷减少区域的GOI相关缺陷密度在0/cm2至0.1/cm2的范围内，并且总共占据所述半导体晶片的平面面积的10至100％的面积比例，而所述半导体晶片的剩余区域的缺陷密度明显高于所述缺陷减少区域。