| 发明名称 | 半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面的情况下，可以在多晶硅膜和其它材料之间获得适合的研磨速度比，由此能够实现含多晶硅膜的被研磨面的高度平坦化的研磨技术。作为化学机械研磨用研磨剂，使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水且其pH在10～13的范围内的研磨剂。 | ||
| 申请公布号 | CN101142659A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200680008440.5 | 申请日期 | 2006.02.27 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社;AGC清美化学股份有限公司 | 发明人 | 吉田伊织;金喜则 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B37/00(2006.01);C09K3/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.研磨剂，它是半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，被研磨面包含多晶硅膜的被研磨面，该研磨剂含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水，该研磨剂的pH在10～13的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||