| 发明名称 | 集成晶体管器件和对应的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种集成晶体管器件，其包括：半导体衬底；柱，形成在所述半导体衬底中的；栅极沟槽，围绕所述柱；第一源极/漏极区，形成在所述柱的上部区域中；栅极介电层，形成在栅极沟槽的底部上，并围绕所述柱的下部区域；栅极，形成在所述栅极沟槽中的所述栅极介电层上，并围绕所述柱的下部区域；以及至少一个第二源极/漏极区，形成在所述半导体衬底的上部区域中，并与所述栅极沟槽邻接。本发明还提供了对应的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101140951A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710146080.1 | 申请日期 | 2007.09.07 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | 罗尔夫·韦兹 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/085(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/8232(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种集成晶体管器件，包括：半导体衬底；柱，形成在所述半导体衬底中；栅极沟槽，围绕所述柱；第一源极/漏极区，形成在所述柱的上部区域中；栅极介电层，形成在栅极沟槽的底部上，并围绕所述柱的下部区域；栅极，形成在所述栅极沟槽中的所述栅极介电层上，并围绕所述柱的下部区域；以及至少一个第二源极/漏极区，形成在所述半导体衬底的上部区域中，并与所述栅极沟槽邻接。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||