| 发明名称 | 导电材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种导电材料包括：包含铜和0.001at.％～0.6at.％的一种或多种选自包括Ir、Os或Re的组中的金属的导电芯部区。界面区包括至少80at.％或更多的一种或多种金属。本发明也涉及一种制造导电材料的方法，它包括：提供一底层；与底层接触的籽晶层，该籽晶层包括铜和一种或多种选自包括Ir、Os或Re的组中的金属；在籽晶层上淀积包含铜的导电层，和对导电层进行退火处理，退火温度足以引起导电层中晶粒的生长，而使一种或多种金属从籽晶层向导电层的迁移最小。该方法进一步包括抛光该导电层以提供一抛光的铜面层材料，和对抛光的铜面层材料进行退火处理，退火温度引起一种或多种金属从籽晶层向抛光的铜面层迁移以提供铜导电芯部与界面区接触。界面区和铜导电芯部包含一种或多种金属。 | ||
| 申请公布号 | CN100375280C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200510082037.4 | 申请日期 | 2005.07.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 迈克尔·莱恩;斯特法尼·R·奇拉斯;特里·A·斯普纳尔;罗伯特·罗森伯格;丹尼尔·C·埃德尔斯坦 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L23/532(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种导电材料，包括：导电芯部区，该导电芯部区包括铜和0.001at.％～0.6at.％的选自由Ir、Os或Re组成的组中的一种或多种金属；和界面区，其中界面区包含至少80at.％的所述一种或多种金属。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||