| 发明名称 | 硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构 | ||
| 摘要 | 一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，包括：一绝缘体硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体硅材料的上面，位于绝缘体硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一P型硅，该P型硅制作在绝缘体硅材料上面的一侧，位于二维光子晶体的一边；一N型硅，该N型硅制作在绝缘体硅材料上面的另一侧，位于二维光子晶体的另一边。本发明二维光子晶体微腔硅基拉曼激光器的结构，该拉曼激光器结构紧凑，模体积小，阈值低，便于与其他器件的集成。 | ||
| 申请公布号 | CN100375352C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200510086312.X | 申请日期 | 2005.08.31 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 许兴胜;陈弘达 |
| 分类号 | H01S5/32(2006.01);H01S5/12(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/32(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，其特征在于，包括：一绝缘体上硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体上硅材料的上面，位于绝缘体上硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一P型硅，该P型硅制作在绝缘体上硅材料上面的一侧，位于二维光子晶体的一边；一N型硅，该N型硅制作在绝缘体上硅材料上面的另一侧，位于二维光子晶体的另一边。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||