一种制作FinFET晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种制作FinFET晶体管的方法，是选用晶向为(110)的SOI(semiconductor on insulator)晶片为衬底材料，用各向异性的腐蚀方法腐蚀该SOI材料的半导体层形成一侧面光滑且垂直于表面的半导体条，并对该半导体条的中间部分进行重掺杂。然后以该半导体条为衬底，从两侧选择外延生长一半导体膜，再利用重、轻掺杂材料之间足够大的腐蚀选择比，腐蚀掉半导体条的重掺杂区域，留下半导体条的两端和外延层，便形成所需的超薄Fin体。在该Fin体上生长栅介质和栅电极，再进行常规CMOS后道工序，即得到FinFET晶体管。

主权项

1.一种制作FinFET晶体管的方法，包括如下步骤：1)选用晶向为(110)的SOI晶片为衬底材料，在衬底表面生长一层薄介质层，光刻后，用各向异性腐蚀液腐蚀所述SOI硅片的半导体层，形成一侧面光滑且垂直于表面的半导体条；然后，对所述半导体条的中间部分进行重掺杂；2)以所述SOI硅片为衬底，在所述半导体条的侧面各生长一外延层；3)腐蚀掉所述半导体条顶部的薄介质层，显露出半导体条自身的顶部；然后，腐蚀掉所述半导体条中间的重掺杂部分，保留所述半导体条两侧的外延层和两端未掺杂的区域，形成两个超薄Fin体，所述半导体条两端的区域将分别成为FinFET晶体管的源区和漏区；4)在所述Fin体上生长栅介质层和栅电极材料，接着光刻、刻蚀栅电极材料形成栅电极图形；然后，对所述栅电极、源区和漏区进行掺杂；5)在整个晶片上生长钝化层，光刻和刻蚀该钝化层，在源、漏和栅电极的接触区形成过孔；接着，生长一层金属膜，光刻和刻蚀该金属膜形成金属电极和互连线，得到所述FinFET晶体管。