| 发明名称 | 金属硅化物的形成方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种金属硅化物的形成方法，包括步骤：提供一表面具有硅材料的衬底；在所述衬底上形成一金属层；在所述金属层上形成一阻挡层；在所述阻挡层上形成一活性层；对所述衬底进行热处理；腐蚀去除未与所述硅材料进行反应的所述金属层。本发明的形成方法可以有效改善金属硅化物的形成质量，降低器件的漏电流，提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101140872A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200610030810.7 | 申请日期 | 2006.09.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 胡宇慧;杨瑞鹏;聂佳相 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供一表面具有硅材料的衬底；在所述衬底上形成一金属层；在所述金属层上形成一阻挡层；在所述阻挡层上形成一活性层；对所述衬底进行热处理形成金属硅化物；腐蚀去除未与所述硅材料进行反应的所述金属层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||