| 发明名称 | 一种用于提高LED出光效率的薄膜及镀膜方法 | ||
| 摘要 | LED芯片发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分被芯片与外界的界面反射，因此导致LED芯片光的损失。本发明提出一种用于提高LED芯片出光效率的薄膜及镀膜方法，薄膜沉积在LED芯片表面上，膜系为单层增透膜，材料选取TiO<SUB>2</SUB>，厚度是出光波长的四分之一倍。薄膜镀膜方法是采用电子枪蒸发沉积薄膜方法。在LED芯片上镀上该膜，使LED出光效率有效提高10％。 | ||
| 申请公布号 | CN101140964A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200610030974.X | 申请日期 | 2006.09.08 |
| 申请人 | 上海理工大学 | 发明人 | 张大伟;孙浩杰 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 宁芝华 |
| 主权项 | 1.一种用于提高LED芯片出光效率的薄膜，其特征在于：薄膜是沉积在LED芯片表面上，膜系为单层增透膜，材料选取TiO2，厚度是出光波长的四分之一倍。 | ||
| 地址 | 200093上海市杨浦区军工路516号 | ||