发明名称 |
软激活电路 |
摘要 |
本发明涉及一种软激活电路,其包括:一电流源、一第一电流镜、一第二电流镜、一第一金属氧化物半导体场效晶体管、一第二金属氧化物半导体场效晶体管以及一电容,利用该第一电流镜、该第一金属氧化物半导体场效晶体管、该第二电流镜及该第二金属氧化物半导体场效晶体管与该电容的耦接,降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值,借以增加该电容的等效电容值,使得该软激活电路可以以一较小电容值的电容来制作。 |
申请公布号 |
CN100375387C |
申请公布日期 |
2008.03.12 |
申请号 |
CN03123963.3 |
申请日期 |
2003.05.29 |
申请人 |
沛亨半导体股份有限公司 |
发明人 |
庄明南;冯蔚文 |
分类号 |
H03K17/00(2006.01);H03K17/22(2006.01) |
主分类号 |
H03K17/00(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
潘培坤;楼仙英 |
主权项 |
1.一种软激活电路,其特征在于,其包括:一电流镜,是由两个金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成,具有两个源极端与两个漏极端,该两个金属氧化物半导体场效晶体管的两个栅极端彼此相连接,并且,其中一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输入端连接于第一电压,而另一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输出端;一晶体管,其一第一端为集电极端且连接于该电流镜的输出端,其一第二端为射极端且连接于一第二电压;以及一电容,其一端连接于该电流镜的该输出端,其另一端连接于该晶体管的基极端;利用该晶体管与该电容的耦接,降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值,借以增加该电容的等效电容值。 |
地址 |
台湾省新竹 |