具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件

摘要

一种沟槽MOSFET晶体管器件及其制造方法。该器件包括：(a)第一导电类型的硅衬底；(b)在衬底上的第一导电类型的硅外延层，外延层具有比衬底更低的多数载流子浓度；(c)从外延层的上表面延伸到外延层中的沟槽；(d)内衬至少部分沟槽的绝缘层；(e)在邻近绝缘层的沟槽内的导电区；(f)在外延层的上部内设置且邻近沟槽的第二导电类型的体区；(g)在体区的上部内设置且邻近沟槽的第一导电类型的源区；(h)在体区上部内且邻近源区的第二导电类型的上部区域，上部区域具有比体区更高的多数载流子浓度；以及(i)布置在外延层上表面的源极接触区，其中源极接触区包括电接触源区的掺杂多晶硅接触区，以及电接触源区和上部区域的邻近金属接触区。

主权项

1.一种沟槽MOSFET晶体管器件，包括：第一导电类型的硅衬底；在所述衬底上的所述第一导电类型的硅外延层，所述外延层具有比所述衬底更低的多数载流子浓度；从所述外延层的上表面延伸到所述外延层中的沟槽；内衬至少部分所述沟槽的绝缘层；邻近所述绝缘层的所述沟槽内的导电区；在所述外延层的上部内设置且邻近沟槽的第二导电类型的体区；在所述体区的上部内设置且邻近所述沟槽的所述第一导电类型的源区；在所述体区的上部内且邻近所述源区的第二导电类型的上部区域，所述上部区域具有比所述体区更高的多数载流子浓度；和在所述外延层上表面上布置的源极接触区，所述源极接触区包括：(a)与所述源区电接触的掺杂多晶硅接触区以及(b)邻近所述掺杂的多晶硅接触区且与所述源区和所述上部区域电接触的金属接触区。