| 主权项 |
1.一种发光二极体改良结构,主要于承载架上结合 有至少二晶片,该至少二晶片系采晶片叠合晶片的 堆叠方式结合,且该至少二晶片系以交错叠设的方 式电性连结,以使该至少二相邻晶片之间形成凸出 部;藉此,以完成一混光性佳之发光二极体者。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该承载架系为金属支架、电路板、铝基板 、陶瓷基板其中任一者。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该每一晶片电性连结系藉锡球以覆晶方式 连结者。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该每一晶片电性连结系以连结打线的方式 连结者。 5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该每一晶片电性连结系采连结打线方式及 覆晶方式混合使用者。 6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该堆叠结合之至少二晶片系直接裸露于空 气中者。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该堆叠结合之至少二晶片外系设有透光物 质包覆者。 8.如申请专利范围第7项所述之发光二极体改良结 构,其中该透光物质系为矽胶(Silicone)者。 9.如申请专利范围第7项所述之发光二极体改良结 构,其中该透光物质系为环氧树脂(Epoxy,简称EP)者 。 10.如申请专利范围第7项所述之发光二极体改良结 构,其中该透光物质系为矽胶与环氧树脂之混合体 者。 11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该堆叠结合之至少二晶片系设有一内建控 制IC者。 12.如申请专利范围第1项所述之发光二极体改良结 构,其中该堆叠结合之至少二晶片系设有一外接控 制IC者。 图式简单说明: 第1图系为本创作实施例之结合示意图。 第2图系为本创作实施例之晶片俯视图。 第3图系为本创作第二实施例之结合示意图。 第4图系为本创作第三实施例之结合示意图。 第5图系为本创作第四实施例之晶片结合示意图。 第6图系为本创作外接控制IC之方块示意图。 第7图系为本创作内建控制IC之方块示意图。 第8图系为习用白光二极体之俯视图。 |
