| 主权项 |
1.一种相位差薄膜,其特征为,将含有以下述式(I)所 示之聚合性液晶单体及聚合引发剂之组成物,与溶 剂之混合溶液在基材上涂覆(coating)予以硬化所得, 该聚合性液晶单体之配合量相对于该混合溶液之 全固形成份100重量份,为70-99重量份, 该聚合引发剂之添加量,相对于该聚合性液晶单体 100重量份,为0.5-20重量份, 相对于该溶剂100重量份,该混合溶液之全固形成份 为2-100重量份, 在此,该式(I)中,X表示Br、Br以外之卤原子,-SMe及-SPh 中之任一个,R1及R2系各自独立表示氢原子或甲基,R 3及R4系各自独立表示碳数2-12之烷撑基,R5及R6系各 自独立表示-O-CO-或-CO-O-。 2.如申请专利范围第1项记载之相位差薄膜,其中该 聚合性液晶单体系下述式(II)所示之聚合性液晶单 体, 3.一种液晶性二(甲基)丙烯酸酯化合物,其特征为 下述式(III)所示者, 在此,该式(III)中,R1及R2系各自独立表示氢原子或 甲基,R3及R4系各自独立表示碳数2-12之烷撑基,R5及R 6系各自独立表示-O-CO-或-CO-O-,A1及A2系各自独立表 示-O-或-O-CO-O-,X表示芳香族取代基。 4.如申请专利范围第3项记载之液晶性二(甲基)丙 烯酸酯化合物,其中该X系无取代之或具有取代基( 含有该取代基中之一个或二个碳原子被氮原子所 取代之物)之苯基或基,或无取代之或具有取代 基之吩基、喃基或咯基。 5.如申请专利范围第3项记载之液晶性二(甲基)丙 烯酸酯化合物,其中该R3及R4系各自独立表示碳数2- 6之烷撑基,该X为苯基之单体。 6.一种相位差薄膜,其特征为在将含有如申请专利 范围第3项记载之液晶性二(甲基)丙烯酸酯化合物 之组成物在基材上予以定向并固定所得者。 7.如申请专利范围第1项记载之相位差薄膜,其中该 聚合性液晶单体之波长589nm中复折射率为0.01-0.10 。 8.如申请专利范围第6项记载之相位差薄膜,其中该 液晶性二(甲基)丙烯酸酯化合物之波长589nm中复折 射率为0.01-0.10。 9.如申请专利范围第1或6项记载之相位差薄膜,其 中该组成物藉由紫外线之照射可被硬化, 该紫外线之照射量为100-1500mJ/c㎡。 10.如申请专利范围第1或6项记载之相位差薄膜,在 该基材上被定向且固定后之组成物之厚度为1-10 m者。 11.如申请专利范围第1或6项记载之相位差薄膜,波 长590nm中光透过率为80%以上。 12.如申请专利范围第1或6项记载之相位差薄膜,其 中波长590nm中相位差薄膜面内之相位差値Re(590),以 可满足下述之式(1): 80nm≦Re(590)≦800nm...(1) 在此,Re(590)=(nx-ny)d,nx表示相位差薄膜之滞相轴方 向(相位差薄膜面内之折射率成为最大之方向)之 折射率之意,ny表示相位差薄膜之进相轴方向之折 射率之意,d[nm]表示相位差薄膜之厚度之意。 13.一种光学薄膜,其特征为将如申请专利范围第1 或6项记载之相位差薄膜予以层合者。 14.一种偏光板,其特征为将如申请专利范围第1或6 项记载之相位差薄膜至少配置于偏光板之单侧者 。 15.一种偏光板,其特征为使如申请专利范围第13项 记载之光学薄膜至少配置于偏光板之单侧者。 16.一种液晶面板,其特征为具备如申请专利范围第 1或6项记载之相位差薄膜与液晶晶胞者。 17.一种液晶面板,其特征为具备如申请专利范围第 13项记载之光学薄膜与液晶晶胞者。 18.一种液晶面板,其特征为具备如申请专利范围第 15项记载之偏光板与液晶晶胞者。 19.如申请专利范围第16项记载之液晶面板,其中该 液晶晶胞系TN模式、VA模式、IPS模式或OCB模式。 图式简单说明: 第1图系表示膜厚测定仪(Spectro Ellipsometer)所致相 位差薄膜之测定处之平面图。 |
