| 主权项 |
1.一种用于低温陶瓷共烧结中且具有一个x-y平面 和一个沿z方向厚度的单片坯料的条带,该条带包 括: 至少一个低温陶瓷层,该低温陶瓷层包含有第一陶 瓷,第一玻璃和第一有机粘合剂微粒; 至少一个自约束层,该自约束层包含有难熔陶瓷, 用于第一玻璃的湿润剂和第二有机粘合剂微粒; 其中,所述难熔陶瓷在低温陶瓷层的烧结温度下不 会被烧结,从而当坯料条带在低温陶瓷层的烧结温 度下时,这些层沿z方向变得致密,而且在不采用外 部约束的前提下,使x-y平面内的皱缩率小于1%。 2.如申请专利范围第1项的条带,其中条带包括两个 低温陶瓷层及一个夹在其间的自约束层。 3.如申请专利范围第2项的条带,其中两个低温陶瓷 层具有大体相同的成分。 4.如申请专利范围第2项的条带,其中至少一个自约 束层的厚度大于20微米。 5.如申请专利范围第1项的条带,其中还包括至少一 个电路元件,所述电路元件被连接到坯料条带的至 少一个外部平面状表面上。 6.如申请专利范围第5项的条带,其中至少一个电路 元件选自下列这组器件:电阻器、电容器、变阻器 、电介质、感应结构和金属导电图形。 7.如申请专利范围第1项的条带,其中难熔陶瓷选自 下列这组材料:无机氧化物、金属矽酸盐、金属碳 化物、金属溴化物、金属氮化物和矿物质。 8.如申请专利范围第7项的条带,其中无机氧化物选 自下列这组材料:氧化铝、氧化锆、氧化钛、钙长 石、富铝红柱石、钙钛矿和氧化矽。 9.如申请专利范围第1项的条带,其中第一有机粘合 剂和第二有机粘合剂中的至少一种包括一种聚合 树脂以及增塑剂、分散剂中的至少一种。 10.如申请专利范围第1项的条带,其中第一玻璃的 湿润剂由下列这组材料中选择:氧化矽、金属氧化 物和矽酸盐。 11.如申请专利范围第10项的条带,其中第一玻璃的 湿润剂包括矽酸锂。 12.如申请专利范围第1项的条带,其中烧结过程中x- y平面内的皱缩率不大于0.2%。 13.如申请专利范围第1项的条带,其中至少一个自 约束层还包括至少一种玻璃。 14.如申请专利范围第1项的条带,其中第一陶瓷和 难熔陶瓷包括相同的材料。 15.如申请专利范围第1项的条带,其中至少一个低 温陶瓷层还包括一种成核剂。 16.如申请专利范围第15项的条带,其中成核剂由下 列这组材料中选取:氧化钛、氧化锆、钙长石、氧 化钼、氧化钨和镁钴尖晶石。 17.一种致密的单片低温共烧结的自约束多元件的 结构,其包括至少两个多层陶瓷基片的叠层;每个 基片上或每个基片中都安装有至少一个电路元件; 每个基片都包括至少一个低温陶瓷层,所述低温陶 瓷层包含有第一陶瓷和第一玻璃的烧结微粒;至少 一个自约束层包含有一种难熔陶瓷和第一玻璃的 湿润剂微粒,其中所述难熔陶瓷和湿润剂至少部分 与第一玻璃一起熔化。 18.如申请专利范围第17项的结构,其中每个基片都 包括一个夹在两个低温陶瓷层之间的自约束层。 19.如申请专利范围第17项的结构,其中叠层还包括 至少一个额外的基片,该额外的基片包括一个包含 有第二陶瓷和第二玻璃的烧结微粒的层,所述额外 的基片与至少一个低温陶瓷层相邻接。 20.如申请专利范围第19项的结构,其中叠层还包括 至少两个额外的基片,其中一个基片定位在叠层的 顶部,另外一个基片定位在叠层的底部。 21.如申请专利范围第19项的结构,其中至少一个额 外的基片设置在两个多层陶瓷基片之间并与这两 个多层陶瓷基片相邻接。 22.如申请专利范围第17项的结构,其中至少一个低 温陶瓷层还包括一种成核剂,其数量足以降低至少 一个低温陶瓷层和至少一个自约束层之间的孔隙 率。 23.如申请专利范围第22项的结构,其中成核剂由下 列这组材料中选取:氧化钛、氧化锆、钙长石、氧 化钼、氧化钨和镁钴尖晶石。 24.如申请专利范围第17项的结构,其中第一陶瓷和 难熔陶瓷包括相同的材料。 25.如申请专利范围第17项的结构,其中至少一个电 路元件选自下列这组器件:电阻器、电容器、变阻 器、电介质、感应结构和金属导电图形。 26.一种单片多层坯料条带的制造方法,其包括下述 步骤: (a)制成第一泥浆,该第一泥浆包含有第一陶瓷、第 一玻璃、第一有机粘合剂和第一溶剂的微粒; (b)制成第二泥浆,该第二泥浆包含有一种如申请专 利范围第1项所述的难熔陶瓷、第二有机粘合剂和 第二溶剂的微粒; (c)通过一个槽形模具将第一和第二泥浆中的一种 泥浆作为第一层喷涂到一载体上; (d)通过一个槽形模具将第一和第二泥浆中的另一 种泥浆作为第二层喷涂到一种泥浆之上,同时该一 种泥浆在载体上仍然处于湿润状态,这样就使第一 和第二层仍然保持不连续; (e)将喷涂后的泥浆烘乾,以基本除去溶剂,而不是 粘合剂。 27.如申请专利范围第26项的方法,其中第二泥浆还 包括一第一玻璃的湿润剂。 28.如申请专利范围第27项的方法,其中第一玻璃的 湿润剂由下列这组材料中选取:二氧化矽、金属氧 化物和矽酸盐。 29.如申请专利范围第28项的方法,其中第一玻璃的 湿润剂为矽酸锂。 30.如申请专利范围第26项的方法,其中步骤(c)和(d) 基本同时进行。 31.如申请专利范围第26项的方法,其中所述步骤(c) 中的一种泥浆为第一泥浆,步骤(d)中的另一种泥浆 为第二泥浆,而且还包括下述步骤: (f)制成第三泥浆,该第三泥浆包含有第二陶瓷、第 二玻璃、第三有机粘合剂和第三溶剂微粒; (g)在第二泥浆仍处于湿润状态下时,通过一个槽形 模具将第三泥浆作为第三层喷涂到第二泥浆上,以 使第二和第三泥浆基本不连续。 32.如申请专利范围第31项的方法,其中步骤(c)、(d) 和(g)基本同时进行。 33.如申请专利范围第31项的方法,其中第一泥浆和 第三泥浆具有基本相同的成分。 34.如申请专利范围第26项的方法,其中难熔陶瓷由 下列这组材料中选取:无机氧化物、金属矽酸盐、 金属碳化物、金属溴化物、金属氮化物和矿物质 。 35.如申请专利范围第34项的方法,其中无机氧化物 由下列这组材料中选取:氧化铝、氧化锆、氧化钛 、钙长石、富铝红柱石、钙钛矿和氧化矽。 36.如申请专利范围第26项的方法,其中第一有机粘 合剂和第二有机粘合剂中的至少一种包括聚合树 脂及增塑剂和分散剂中的至少一种。 37.如申请专利范围第26项的方法,其中还包括将至 少一个电路元件粘接到坯料条带的至少一个外部 平面状表面上的步骤(h)。 38.如申请专利范围第37项的方法,其中至少一个电 路元件选自下列这组器件:电阻器、电容器、变阻 器、电介质、感应结构和金属导电图形。 39.如申请专利范围第26项的方法,其中第二泥浆层 的厚度大于20微米。 40.如申请专利范围第26项的方法,其中所述第二泥 浆还包括至少一种玻璃。 41.如申请专利范围第26项的方法,其中第一泥浆还 包括一种成核剂。 42.如申请专利范围第41项的方法,其中成核剂由下 列这组材料中选取:氧化钛、氧化锆、钙长石、氧 化钼、氧化钨和镁钴尖晶石。 43.如申请专利范围第26项的方法,其中第一陶瓷和 难熔陶瓷包括相同的材料。 44.一种用于制造单片结构的方法,其中单片结构用 于多层电路或液压模组上,该方法包括下述步骤: 提供多个坯料陶瓷条带,每个条带都具有一个x-y平 面;将电路元件安装到所述条带上;沿z方向叠置条 带;对叠置的条带进行层压;对叠置条带的叠层进 行加热,以从条带中除去有机粘合剂;将无粘合剂 的层状结构共同烧结,以形成仅沿z方向有皱缩而 沿x-y平面基本无皱缩的单片结构,其改进之处在于 :提供坯料陶瓷条带的步骤包括提供至少一个坯料 条带,所述坯料条带包括:(a)一个第一低温陶瓷层, 该第一低温陶瓷层包括:第一陶瓷、第一玻璃和第 一有机粘合剂微粒;(b)一个自约束层,所述自约束 层包括:一种难熔陶瓷、一种第一玻璃的湿润剂和 第二有机粘合剂微粒;且所述第一玻璃的湿润剂由 下列这组材料中选取:氧化矽、金属氧化物和矽酸 盐;共烧结的步骤是在不施加外部约束的前提下进 行的。 45.如申请专利范围第44项的方法,其中难熔陶瓷选 自下列这组材料:无机氧化物、金属矽酸盐、金属 碳化物、金属溴化物、金属氮化物和矿物质。 46.如申请专利范围第45项的方法,其中无机氧化物 由下列这组材料中选取:氧化铝、氧化锆、氧化钛 、钙长石、富铝红柱石、钙钛矿和氧化矽。 47.如申请专利范围第44项的方法,其中湿润剂包括 矽酸锂。 48.如申请专利范围第44项的方法,其中自约束层还 包括至少一种玻璃。 49.如申请专利范围第44项的方法,其中第一低温陶 瓷层还包括一种成核剂。 50.如申请专利范围第49项的方法,其中成核剂由下 列这组材料中选取:氧化钛、氧化锆、钙长石、氧 化钼、氧化钨和镁钴尖晶石。 51.如申请专利范围第44项的方法,其中第一陶瓷和 难熔陶瓷包括相同的材料。 52.如申请专利范围第44项的方法,其中x-y平面内的 皱缩率小于1%。 53.如申请专利范围第52项的方法,其中x-y平面内的 皱缩率不大于0.2%。 图式简单说明: 图1A为设置有一空腔、顶部印刷有金属导体和连 接通路的常规单体模组的透视图; 图1B为接合有多个图1A所示的多层微电子模组的面 板之平面图; 图2为本发明的三层条带的剖视图; 图3为本发明用于三层条带的厚度尺寸和收缩比率 相互关系的曲线图; 图4A、4B、4C和4D为本发明的多个自约束多元件结 构的剖视图; 图5为在本发明的陶瓷同步附着装置上的湿气的示 意图。 |
