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发明名称 A method of forming a self-aligned floating gate poly to an active region for a flash E2PROM cell
摘要
申请公布号 KR100811576(B1) 申请公布日期 2008.03.10
申请号 KR20010057992 申请日期 2001.09.19
申请人 发明人
分类号 H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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