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发明名称 vertical type bipolar junction transistor and the fabrication method, CMOS image sensor having it and the fabrication method thereof
摘要
申请公布号 KR100812079(B1) 申请公布日期 2008.03.07
申请号 KR20060079322 申请日期 2006.08.22
申请人 发明人
分类号 H01L27/146 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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