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发明名称
Method of fabricating the dual gate in semiconductor device
摘要
申请公布号
KR100811267(B1)
申请公布日期
2008.03.07
申请号
KR20060088631
申请日期
2006.09.13
申请人
发明人
分类号
H01L21/8238
主分类号
H01L21/8238
代理机构
代理人
主权项
地址
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