Method of fabricating the semiconductor device having recessed channel,申请号KR20050122764-传众专利搜索

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发明名称	Method of fabricating the semiconductor device having recessed channel
摘要
申请公布号	KR100811257(B1)	申请公布日期	2008.03.07
申请号	KR20050122764	申请日期	2005.12.13
申请人		发明人
分类号	H01L27/108;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8242	主分类号	H01L27/108
代理机构		代理人
主权项
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