发明名称 Verfahren zur Herstellung einer verspannten Silizium-Schicht auf einem Substrat und Zwischenprodukt
摘要
申请公布号 DE602004011353(D1) 申请公布日期 2008.03.06
申请号 DE200460011353T 申请日期 2004.10.19
申请人 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES S.A. 发明人 LE VAILLANT, YVES-MATTHIEU
分类号 H01L21/762;H01L21/20 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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